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薄膜鉑熱電阻WZP-1212U
薄膜鉑熱電阻WZP-1212U

產(chǎn)品型號:

所屬分類:鎧裝鉑電阻

產(chǎn)品時間:2024-07-17

簡要描述:WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻
熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化??捎糜跍y量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
WZP1212U薄
薄膜鉑熱電阻WZP-1212U

詳情介紹

 

WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻2.熱響應(yīng)時間 在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間,用t0.5表示。

薄膜鉑熱電阻WZP-1212U

薄膜鉑熱電阻WZP-1212U

WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻

的詳細(xì)介紹

WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻

熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化??捎糜跍y量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
 WZP1212U薄膜鉑熱電阻,WZP-1212U,的詳細(xì)資料:

1.              測溫范圍、允差

 

名稱

型號

分度號

測溫范圍

等級

允許偏差

鉑電阻

WZP

Pt100

Pt10

-200~±650℃

A

±(0.15+0.02t)

B

±0.30+0.005t

銅電阻

WZC

Cu50

Cu100

-50~+150℃

 

±(0.30+0.006t)

2.熱響應(yīng)時間

   在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間,用t0.5表示。

3.自熱影響

鉑電阻允許通過電流1mA,zui大測量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。

 

4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差

 

名稱

等級

α

α

鉑電阻

A

0.003851

±0.000006

B

±0.000012

銅電阻

 

0.004280

±0.000020

5.絕緣電阻

     當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。

 

薄膜鉑電阻元件

一、         概述

      CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成,*自動的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。

二、         技術(shù)特點

1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。

2.              鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。

3.              薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。

4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。

5.              規(guī)格:

 

型號

規(guī)格

長×寬×高

阻值

測量電流

精度

測量范圍

熱響應(yīng)時間

CRZ-1632

3.2×1.6×1.0

PT100

PT100

≤1mA

A

-50~550℃

≤0.3S

CRZ-2005

5.0×2.0×1.1

PT50

≤2mA

A

-50~400℃

CRZ-2005

5.0×2.0×1.0

PT10

≤0.5mA

B

-50~500℃

 裝配式熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時,其電阻也隨著發(fā)生變化的特征來測量溫度的。當(dāng)阻值變化時,工作儀表便顯示出阻值所對應(yīng)的溫度值。

 裝配式熱電阻是利用物質(zhì)在溫度變化時,其電阻也隨著發(fā)生變化的特征來測量溫度的。當(dāng)阻值變化時,工作儀表便顯示出阻值所對應(yīng)的溫度值。

 

  

 

 



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